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BSC016N03MS G詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：173nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：13000pF @ 15V; 功率_最大：125W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：Digi-Reel®

BSC016N03MS G詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：173nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：13000pF @ 15V; 功率_最大：125W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：帶卷 (TR)

BSC016N03MS G詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：173nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：13000pF @ 15V; 功率_最大：125W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：剪切帶 (CT)

CA06EW28-12PBF80
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C0805C332K4RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3300PF 16V 10% X7R 0805
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FET - 單 Infineon Technologies * MOSF N CH 60V 30A TDSON-8
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